研究開発技術検索

FA生産システムの制御ソフトを自動生成する機能を持った「新型制御装置」の研究開発

経産省の示すSociety5.0で、製造業がIoT・AIにいたるデジタル技術を活用した多品種混流式のFA生産システムを導入することで、生産性が向上し、よって社会を発展させる、とある。一方、FAを創る側は生産性が高めらず苦しんでいる。その解決策は、FAの制御ソフトを自動生成する新型制御装置の開発に尽きる。これによってソフト技術者の不足が解消し、納期・コスト削減が可能となり、制御装置業界の生産性が向上しSociety5.0の実現に大きく貢献できる。
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金属製品の高品質化・低コスト化を達成する低温摩擦接合装置の開発

近年各産業で軽量且つ高強度なチタン合金やアルミニウム合金の使用頻度が高まっているが、接合部脆化等の品質面や機械加工時のコスト高など課題が多い。本事業では、正確に接合温度を制御し、所望する特性を接合部に付与可能な新規摩擦接合技術のための接合装置を開発することにより、従来困難であった航空機エンジン部品や構造部材及び各種川下産業用部品の軽量化・低コスト化技術を確立し、広く普及をさせる。
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ガラス樹脂基板材料による多ピン・狭ピッチ半導体デバイス検査対応の高アスペクトスルホール形成技術の研究開発

半導体デバイスは高機能化や高性能化ニーズに対応するため多ピン化や狭ピッチ化が加速している。しかし、半導体製造プロセスのテスト工程に不可欠なテスト基板の小口径、狭ピッチ、高アスペクトを有したスルホール形成技術がボトルネックとなっている。本研究では、ドリル・レーザハイブリット加工技術等を用いた細孔加工技術と特殊めっき液流動制御技術を用いた細孔めっき技術を開発し、次世代テスト基板製造技術を確立する。
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金属と樹脂との直接加圧溶着技術の高性能化と低コスト溶着装置開発

自動車分野、医療分野、航空機分野で軽量化による省エネ化のニーズが見込める金属と樹脂との複合化について、今回は金属と樹脂との直接接合技術を応用した直接加圧用着技術を開発することによって、今まで接合が不可能であったPPなどの難接着樹脂やPEEKなどの高融点樹脂と金属との接合等の接合性能向上や、接合タクトタイム1分以内を目指した装置開発によりコスト削減を可能にするものである。
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革新的不動態厚膜形成法によるステンレス配管・容器溶接部等の高耐食化処理システムの実用化開発

電解研磨と独自の化学酸化発色処理法を組み合わせたウェットプロセス表面改質技術により、ステンレス鋼表面に最大250nm厚さの緻密な不動態酸化膜を形成し、水素を含む外部からの腐食因子を有効に遮断する防食技術を実用化する。表面処理が難しいステンレス配管・容器等の溶接部内外面に防食施工を行うことができる可搬型処理装置を開発するとともに、IoT・AI活用データベースに基づく防食施工管理システムを開発する。
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5G対応高周波用材料(ガラス・セラミック・テフロン等)への分子接合とメッキ技術を融合した高周波対応次世代メッキ技術の開発

5Gの普及のためには表皮抵抗の小さい高周波部品の供給が必要となる。そのため、本事業における研究開発では、分子接合技術とめっき技術の融合を図ることを目標とした。具体的には、低誘電率で低誘電正接材料の表面を粗化せずに平滑性を維持したままダイレクトにめっきできる技術の実現を図ることである。技術目標は達成され、5Gの高速・大容量・低遅延に不可欠な高周波用部品の量産を可能とするものづくり革新が実現されることになる。
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高耐雷性CFRP製造用めっき法の開発

川下産業のニーズである「低コスト、軽量化、多機能化、大面積化」に応えるため、本研究開発では、以下の要素技術を統合することで、プリプレグシートへの連続めっき技術 (RtoR，ロールトゥロール)の確立を目指した。さらに、銅メッシュを上回る耐雷性および電磁波シールド効果を有すること、またプリプレグめっきによる機械的強度の劣化がないことを確認する試験を通じて、プリプレグめっきの有効性の発信を目指した。 開発項目 ・Pdナノコロイド触媒の安定化 ・無電解めっき膜の薄膜化 ・パターンめっき技術の開発 ・連続めっき(RtoR)装置の開発 ・めっき膜の電気的・機械的特性の評価
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グラフェン電極を用いた大容量全固体リチウムイオン電池の研究開発

本研究では、シーズテクノ株式会社のグラフェン成膜技術を用い、全固体リチウムイオン電池の負極にグラフェンウォール（カーボンナノウォール）を使用することで、負極容量の増加を図った。グラフェンウォールは従来の黒鉛に比べて表面積が広く、リチウムとの反応面積を拡大できるため、負極容量が向上した。さらに、液体電解質を使用しない固体電解質を採用することで、漏れや発火のリスクを低減し、安全性も向上した全固体電池を作製した。
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次世代パワー半導体用SiC(炭化ケイ素)基板に潜在する通電拡張型欠陥の可視化及び、製品の高信頼性化を実現する高速AI抽出によるスクリーニング技術の研究開発

次世代パワー半導体用SiC基板に潜在する欠陥を可視化するための高速AIスクリーニング技術の開発を行った。特に、通電劣化現象とUV照射条件の相関性を定量化し、通電によって拡張された欠陥を高い精度で検出する技術を確立。既存の検査装置では検出できなかった欠陥を新たに検出する技術が開発された。
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超高性能吸着物質の形態制御技術及び製品化に向けた応用展開としてのフィルター開発

PCP/MOFの形態を制御し、その最大の弱点である作業性の悪さを改善するため、「各臭気物質に効果のあるPCP/MOFの造粒・成形技術」を開発した。また、Fe-PCP/MOFを水系加工剤化することで、より幅広い用途展開を目指す「Fe-PCP/MOFを用いた乳化分散技術」およびその加工技術も開発した。さらに、これらの技術を効率的に活用する「高機能フィルター技術」の開発にも取り組んだ。 PCP/MOF形態制御技術による製品を、b.caveとして事業化を開始した。
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