研究開発された技術紹介

半導体デバイスは高機能化や高性能化ニーズに対応するため多ピン化や狭ピッチ化が加速している。しかし、半導体製造プロセスのテスト工程に不可欠なテスト基板の小口径、狭ピッチ、高アスペクトを有したスルホール形成技術がボトルネックとなっている。本研究では、ドリル・レーザハイブリット加工技術等を用いた細孔加工技術と特殊めっき液流動制御技術を用いた細孔めっき技術を開発し、次世代テスト基板製造技術を確立する。

・狭ピッチ・高アスペクト比の穴あけ加工技術の開発
-加工条件の最適化
-光学シミュレーションの活用によるレーザー光の設計
・めっき浴槽の強制循環撹拌技術の開発
-ノズルの最適化
・銅めっき駅の高スローイングパワー化技術の開発
-添加剤の最適化

・目標としていた板厚6.5mmの基板に対し、Φ0.15の穴明け加工技術(穴位置精度30μm以下、壁面凹凸20μm以下)を確立した。さらにめっき技術として、上記穴にスローイングパワー60以上のめっき技術を実現した。
・有底孔については、深さ0.6mm、Φ0.15/アスペクト4のめっき技術も実現した。
・本技術を活用して、半導体テスト基板(ロードボード)として、板厚6.5mm/3,000ピン/0.35mmピッチのデバイス用スルホール基板が制作可能であることが確認できた。
・本技術により、従来比集約度(面積の短小化)75%以下、製造期間1/2以下、コスト1/2以下になることが確認できた。

半導体デバイスのテスト基板の製造技術であり、新規の穴あけ加工及び高アスペクト比を有した穴へのめっきを実現できる。

製品化及び事業化に向け、穴あけ加工技術及びめっき技術において、製造安定性を向上させる必要があり検証の継続が必要。

板厚6.5mm/3000ピン程度/0.35mmピッチデバイス用基板製造できることが確認。さらにスルホール基板として制作することで、従来比集約度(面積の短小化)75%以下、製造期間1/2以下、コスト1/2以下を実現。

製品化及び事業化に向けては、穴あけ加工技術及びめっき技術において、製造安定性を向上させる必要があり検証の継続が必要がある。

穴あけ加工技術及びめっき技術における製造安定性の向上