研究開発された技術紹介

次々世代半導体デバイス線幅45NMに対応したナノ位置決め技術を開発。特に製造コスト上問題である半導体マスクのパーティクル除去について、従来の水系洗浄に代わる全く新規方式のレーザ除去装置を開発しコストダウンを図る。既開発の空気浮上小型ナノ精度リニアモータを拡大且つ二次元化し、繰返し位置精度5NM、分解能1NMの超高精度XYテーブルを開発、パーティクルを検出し位置決めしてこれを完全除去する

・目標を大きく上回る位置決め分解能0.78nmの二次元ナノ位置決めテーブルを開発することができた。
・小型一体型サーボモーターコントローラ及びドライバを開発し、小型化とコストダウンの目途をつけることができた。
・マスクパーティクル除去装置については、川下事業者のニーズに対応可能な技術の開発を行うことができた。
注)nm：ナノメーター、ナノ(n)は10のマイナス9乗(新技術)乾式除去技術
＜開発目標＞
・1次水洗浄後、パーティクル完全除去が可能で再付着を防止
・従来技術に比べて、除去時間を1/100に短縮
・大幅なコストダウンを実現
・ナノ位置決めテーブルの分解能<10nmで50nm以上パーティクル除去
・ナノ位置決めテーブルの最高速度100mm/sec以上

開発した二次元ナノ位置決めテーブルとマスクパーティクル除去装置は、以下の特徴を有する。
・位置決め分解能(3σ)：0.78nm
・ストローク：X軸Y軸共に320mm
・最大速度：400mm/sec(sec：秒)
・整定時間：15msec
・パーティクル除去サイズ：1μm以上
注)μは10のマイナス6乗、百万分の一

ナノメーターオーダーの高精度位置合わせを必要とする精密機器の部品

残念ながらユーザー企業からの引き合いはない。

半導体製造コスト上問題である半導体マスクのパーテイクル除去には効果を発揮出来る。

当初目的の用途での事業化はほぼ断念した。