表面処理
半導体製造工程でパーティクルフリーを実現する高速厚膜SiCコーティング技術の開発!
長野県
アスザック株式会社
2020年3月23日更新
プロジェクトの基本情報
プロジェクト名 | 半導体製造工程でパーティクルフリーを実現する高速厚膜SiCコーティング技術の開発 |
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基盤技術分野 | 表面処理 |
事業化状況 | 研究実施中 |
事業実施年度 | 令和1年度~ |
プロジェクトの詳細
事業概要
半導体の製造工程で管理必要な不純物質(パーティクル)の最小寸法は、2022年に5nmと厳しい値が規定されており、パーティクルフリーの大型SiCセラミックスのニーズが半導体製造装置メーカから寄せられている。本提案では、SiCセラミックス上のにおいてパーティクルの原因となるポアを液相ベースコーティング法にて高速コーティングすると共に、抵抗率を制御した多結晶膜の高速厚膜成長を実現する技術の開発を行う
実用化・事業化の状況
プロジェクトの実施体制
サポイン事業者 | アスザック株式会社 |
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事業管理機関 | 公益財団法人長野県テクノ財団 |
サポイン事業者 企業情報
企業名 | アスザック株式会社(法人番号:9100001005780) |
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本社所在地 | 長野県 |
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