研究開発された技術紹介

半導体製造におけるレジスト膜を除去する手法としては従来、酸素プラズマ処理法と薬液処理法が用いられている。これらは、酸化ダメージやパーティクル発生により不良率が増加するなどの課題がある。これらの課題を解決するため、新たに水プラズマという手法を用いるレジスト除去方法を開発し、ミニマルファブ規格で装置化する。半導体デバイス製造工程に適用し、ユーザニーズを満たす新しいレジスト除去方法を実用化する

・プロセス後のウェハ上に0.3mm以下のパーティクルが500個以下となることを実現する
・酸化に由来する金属薄膜の体積抵抗率の増加を1桁以内とする
(新技術)
水プラズマという手法を用いるレジスト除去方法＝水プラズマアッシング法
(新技術のポイント)
・廃液がでない
・ウエハにダメージを与えない・ミニマル筐体に収納した

・水プラズマアッシングプロセスの開発レジスト除去測度については、当初目標を大幅に上回る6μm/minを達成
・ミニマル規格の水プラズマアッシング装置の開発ミニマル規格(筐体サイズh1440×w294×d450)に適合する水プラズマアッシング装置の開発においては、マイクロ波電源の小型化、プロセスチャンバーやウェハ洗浄乾燥気候などの小型化に成功し、レイアウトの最適化により、ミニマル筐体内に水プラズマアッシングに必要なすべての機構を収めることに成功

・ノボラック系ポジ型レジスト(1μm/min以上のレジスト除去測度を実現)
・イオン注入硬化レジスト(0.1μm/min以上のレジスト除去測度を実現)

本装置（デモ機）を使用したプロセスによる性能確認において、製品化する上での技術的課題が明確になったので、改善を行い事業化を急ぐ段階。

・レジスト除去速度については、当初目標を大幅に上回る6μm/minを達成
・装置開発においては、マイクロ波電源の小型化、プロセスチャンバーやウェハ洗浄乾燥機構などの小型化に成功し、レイアウトの最適化により、ミニマル筐体内に水プラズマアッシングに必要なすべての機構を収めることに成功
・水プラズマ形状を楕円から円形状に近づけ、アッシング速度の面内均一を良化

・数年後の事業化を目指し、半導体関連の大規模国際展覧会(SEMICONJapan2017)での実機展示、動作デモを実施
・国内学術会議、国際会議で成果発表を実施デモ機による製造プロセス評価を実施　新たな問題点を抽出・改善を進め、製品完成度の向上を進める

開発資金、長納期且つ高価格の調達部品

ミニマルファブ研究会内で連携を進めているので問題無し