電界砥粒制御技術を応用した高効率かつ高品位な新たな研磨技術を開発

　LED用として使われるサファイア基板は高硬度かつ優れた化学安定性を有する難加工材料であり、更にその仕上げ表面には原子レベルの平坦性が求められることから、多くの加工時間及びコストが費やされていた。その問題を解決するため、表面仕上げ工程である粗研磨（ラップ）工程，最終研磨（CMP）工程において、秋田県が有する技術シーズである電界砥粒制御技術を応用した高効率かつ高品位な新たな研磨技術を開発した。

　開発した研磨法は、加工効率と品位がトレードオフの関係にある従来の工法を見直し、電界によって研磨材自体の仕事量をあげることで品位と効率を両立した技術である。
　従来の研磨法は高品位な無じょう乱仕上げ面を創出可能であるが、研磨スラリーに遠心力が作用し研磨領域より散逸してしまうことから加工効率は低い。そこで、砥粒の配置制御を可能とする電界砥粒制御技術に着目した。本技術は秋田県が有する技術シーズであり、低周波交流電界を用いて研磨砥粒、もしくは研磨スラリーの飛散抑制、研磨領域内の均一分布を実現する技術である。
　

　
　本技術をサファイア基板の表面仕上げ工程に導入し、同時に副資材の見直し等により、高効率かつ高品位な加工技術を確立した。
　本開発技術により、表面仕上げに係るトータル加工時間を47％削減可能となった。