文字サイズ
標準
色の変更

サポイン技術紹介

  1. トップ
  2. サポイン技術検索
  3. 次世代パワーデバイス用SiC/GaN基板の大口径化を実現する高品質、低コスト量産化加工技術の開発

精密加工

次世代パワーデバイス用SiC/GaN基板の大口径化を実現する高品質、低コスト量産化加工技術の開発

岐阜県

株式会社ナガセインテグレックス

2020年4月14日更新

プロジェクトの基本情報

プロジェクト名 次世代パワーデバイス用SiC;GaN基板の大口径化を実現する高品質、低コスト量産化加工技術の開発
基盤技術分野 精密加工
対象となる産業分野 半導体
事業化状況 事業化に成功
事業実施年度 平成27年度~平成29年度

プロジェクトの詳細

事業概要

産学連携の元で開発された定量・定圧超精密複合研削加工技術をさらに発展させ、専用の高番手パターン砥石、並びに高負荷加工対応CFRP保持治具を新たに開発し、今後需要が急増するSIC/GANウエハの高能率・高品位平面研削加工、並びに最終研磨加工に適用する。そして大口径ウエハの高品質、低コスト量産化加工工程を確立するとともに、ウエハ再生加工へも展開し、次世代パワーデバイスの実用化と用途拡大に貢献する

開発した技術のポイント

大口径ウエハの高品質、低コスト量産化加工工程を確立するため、砥石開発及び検証、ウェハ保持具の開発、CMP工程技術の開発等を目標。下記は粗加工における高加工レートを実現する砥石の開発及び検証内容を示す

(新技術)
研削面のシミュレーション技術を平面ホーニング法へ応用した計算手法を開発

(新技術のポイント)
本手法では砥粒のバラツキを考慮した工作物全体でのスクラッチパターンの発生やその除去過程について解析

具体的な成果

・研削工程技術の開発
‐粗加工#4000の砥石摩耗量の低減ができた(1,000円/枚を達する為の砥石摩耗量9μmの目標値に対して4.5μm)
‐仕上げ加工における内部ダメージSSDを平均70nm以下をクリアした
‐ウエハの保持具の開発において、冶具平行度2μm以下、冶具平面度2μm以下を達成し、安定した品質の確保ができた

・CMP工程技術の開発
‐ウエハ精度(TTV,LTV,SORI)に関して目標値を達成。
‐グラインド研削水にイオン交換樹脂を使用することにより、CMP洗浄工程では、酸洗浄による金属汚染、超音波洗浄装置導入によるパーティクル低減により、ウエハ品質保証の目途が立った

研究開発成果の利用シーン

SiC/GaNウエハの高能率・高品位平面研削加工、並びに最終研磨加工

実用化・事業化の状況

製品・サービスのPRポイント

・高品位・高能率加工
・低コスト量産化

今後の実用化・事業化の見通し

当該製品のテスト加工において、良好な反応を示すユーザも多く、サンプル出展を行い市場ニーズの確認を行った

プロジェクトの実施体制

サポイン事業者 株式会社ナガセインテグレックス
事業管理機関 公益財団法人岐阜県産業経済振興センター

サポイン事業者 企業情報

企業名 株式会社ナガセインテグレックス
事業内容 超精密研削盤製造・販売
本社所在地 〒501-2697 岐阜県関市武芸川町跡部1333番地1
ホームページ http://www.nagase-i.jp/
連絡先窓口 製造本部テクニカルセンター 渡辺一人
メールアドレス kwatanabe@nagase-i.co.jp
電話番号 0575-46-2323