研究開発された技術紹介

「切削･加工に係る技術」分野で川下産業の抱えるニーズである、新規基板としてのβ-Ga2O3基板をエピ成長用、紫外線センサー用に提供し、LEDの高輝度化、高性能LD,ハイパワーデバイス、HEMT等の用途を確立するための下支えをする。基板として特にヘキ開の激しい材質であるため切削・研磨加工が困難であり、技術力を必要とする

新素材β-Ga2O3単結晶基板の製造技術の確立と用途開発
・高度切削加工技術の開発
→表面粗さRa=0.15nmの達成、量産技術の確立
・サンプルの評価と用途開発
→GaN on β-Ga2O3の実施、用途開発
・高品質β-Ga2O3単結晶の製造技術の開発
→β-Ga2O3単結晶品質改善(半値幅100秒以下)量産技術の確立
(新技術)
・切削・研磨
‐ヘキ開の克服
‐研磨表面の粗さRa=0.15nm
・育成:EFG法
‐2インチ半値幅50秒結晶の製造
‐熱バランス及び育成スピード改善による品質の改良

・表面粗さRa=0.15nm、量産可能な切削・研磨加工法を確立
‐ヘキ開(結晶の特定方向への割れやすさ)を克服する切削加工技術を開発
‐表面あらさRa=0.15nmを達成
‐量産可能な技術として、切削・研磨加工法を確立
・2インチβ-Ga2O3単結晶を試作、半値幅約50秒を達成
‐2インチβ-Ga2O3単結晶を試作
‐β-Ga2O3単結晶品質改善を行い、半値幅約50秒と目標値を達成
‐複数枚を同時に生産するための量産技術確立が今後の課題
・β-Ga2O3単結晶基板上へのGaNエピタキシャル成長を実施
‐LED、LD、紫外線センサー等の用途に向けてサンプルを企業、大学に提供
‐β-Ga2O3単結晶基板上へのGaNエピタキシャル成長(薄膜結晶成長技術の1つ)を実施し、酸化物基板といえども窒化物系のエピ成長が可能であることを確認

特許5857337:酸化ガリウム基板とその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　　　
特許5786179:酸化ガリウム単結晶とその製造方法　　　　　　　　　　　　　　　　
特許5493092:酸化ガリウム単結晶の製造方法及び酸化ガリウム単結晶　　　　　　　
特許5618318:酸化ガリウム単結晶の製造方法及び製造装置　　　　　　　　　　　　
特許6085764:酸化ガリウム単結晶及び酸化ガリウム単結晶基板　　　　　　　　　　
特許6097989:酸化ガリウム単結晶及び酸化ガリウム単結晶基板

パワーデバイス基板、光デバイス基板

パワーデバイス基板マーケットを注視しつつ、事業化に向け活動中

・次世代の高出力高周波パワーデバイス基板として最近世界的に注目され開発が活発になっている
・サファイア基板製造で培ったEFG法結晶育成技術、そして基板加工技術をβ-Ga2O3単結晶基板製造へ応用し、高品質な基板を製造　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

パワーデバイス基板マーケットを注視しつつ、数年後の事業化を目指す　　　　
・結晶育成技術や基板加工技術の改善を検討する　　　　　　　　　　　　　　　
・酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況を見極める