研究開発された技術紹介

半導体製造業界では価格競争に打ち勝つため、DRAMﾊｰﾌﾋﾟｯﾁﾙｰﾙに沿った線幅の微細化傾向と大型ｳｪｰﾊに対応できる高機能で安価なﾘﾆｱｽﾃｰｼﾞが求められている。本提案では、液晶電気光学効果を活用し独自に研究開発を行い事業化した精密測長器をもとに更に高度化すると共に、液晶精密測長器と一体化できるﾒｶ制御機構を開発し、次世代半導体製造技術に対応可能なより高精度で高速に位置決めできる安価なﾘﾆｱｽﾃｰｼﾞを研究開発する

320mmの液晶精密測長器を組込んだリニアステージを開発
・320mmの液晶精密測長器:12インチウェーハに対応
・繰返し精度:±10nm→±1nm、動作速度:50mm/秒→150mm/秒ユーザー企業の求める精密さとスピードに対応
(新技術)
・繰返し精度:±1nm動作速度:150mm/秒、320mmの液晶精密測長器を組み込んだリニアステージ(12インチウェーハに対応)
・組み立て治具・工具の独自開発によって、寸法誤差を解消
・調整等が不要ですぐに使用できる
・安価に製造が可能

高精度・高速動作を実現した320mm長の液晶精密測長器を開発
・自社の保有技術をさらに高度化し、320mm長の測長器を開発
・測長アルゴリズムを新たに開発すること等により、精度:±1nm、動作速度:150mm/秒を達成
・組み立て治具・工具の独自開発によって、寸法誤差の影響を軽減
液晶精密測長器の自動校正・検査システムを開発
・リニアステージの安定した生産を実現するため、自動校正・検査システムを開発
・±1nm以内の精度で、20台/日の校正を実現
・工場、環境、装置の観点から精度安定化に取り組み、最高±0.6nmでの測定を実現
320mm長の液晶精密測長器を組み込んだリニアステージを実用化
・320mm長リニアステージの実現に向け制御システムとメカ機構の研究開発を並行して実施
・制御パラメータ数値の検量線を作成し、高精度(±1nm)、高速駆動(動作速度:150mm/sec)、高剛性(目標耐荷重:40kgf以上)を達成
・温度サイクル、ノイズ、静電気、気圧等の各種信頼性試験を実施し、製品化に耐えうる制御方式を確立

特許公開：「測長器」(特開2010-2040-62)

DRAm等の高精度な生産現場におけるリニアステージとして今後予想される、さらなる高密度化・大容量化に備えると同時に、高い分解能、高速な動作、長い作動距離を活かし、mEmSに代表される精密機械分野などで新たな市場を開拓する

平成24年10月倒産

高精度・高速動作のリニアステージを実現、今後は事業・販売面を強化
・低価格化や長尺化・小型化をさらに推進
・2012年の事業化を目指して、サンプル提供、販促活動を実施