研究開発された技術紹介

情報家電産業では機器や付帯設備のダウンサイジングが求められており、機器に搭載される半導体パッケージも、より小型化することで端子ピッチの微細化が進んでいる。半導体検査市場では、それに対応したコンタクトプローブの微細化・超寿命化ニーズが高まり、これらを実現するために、コンタクトプローブを構成するプランジャーに、均一なめっき皮膜で低接触抵抗・非はんだ付け性などの特性を付与するめっき技術を開発する

プランジャーのめっき皮膜を均一にし、かつ接触抵抗が低く安定的なめっき技術を開発
・めっき膜厚範囲内での工程能力指数→1.33＜Cpk＜1.67
・多層化による密着不良発生率0%、量産試作品の不具合発生率→1%未満
・接触抵抗値→230mΩ以下で安定
(新技術)
・膜厚均一性密着性
＜極細プランジャー用めっき＞
‐膜厚均一化
‐ピンホール現象
‐密着不良削減
・はんだ非付着性
＜はんだ非付着性めっき＞
‐接触抵抗値の安定
‐クリーニング頻度の減少

・製品内における膜厚を均一化する技術を確立
‐先端が尖っている微細製品等に対し、電流の集中する箇所への膜厚過多の問題を解消するため、設備やめっき条件を検討
‐最適なバレルやリード線等の治具選定、および供給電気量や処理時間等のめっき条件を確立
‐工程能力指数を1.33＜Cpk＜1.67とすることに成功
・多層化による薄膜金めっきピンホールの低減技術を確立し、試作ラインでの量産を実施
‐多層化によって発生する不具合の抑制は、活性化処理時間を適切に選択することで、密着不良発生率0%が可能に
‐量産試作に最適な設備を検討し、実験で得られた適切な条件を用いて量産試作を行った結果、不具合発生率1%未満を達成
・接触抵抗値を低く安定的に維持するめっき皮膜特性を確認
‐金めっき皮膜中にカーボン粒子を複合させるのに最適な条件を検討
‐カーボン粒子の複合状態は、めっき条件よりもカーボンの添加量と分散状態に強く依存することを確認
‐サンプルは10万回の耐久評価試験でも接触抵抗値の上昇は見られず、接触抵抗の目標値230mΩ以下を達成

国内外の展示会に出展

コンタクトプローブ等の微細品表面処理の量産

・H23年度に事業化に成功
・提供された素材に指定の表面処理の実施が可能

・精度向上→金めっきを薄膜化しても、多層めっきという代替技術を確立することによって、存在する多くのピンホールを低減することが可能になり、また下地めっきへの拡散や酸化膜などの絶縁物の発生が抑えられ、安定した接触抵抗を得ることが出来る
・低コスト化→金めっきを薄膜化することで、プランジャー自体のコストダウン、資源の節約にも対応
・品質管理→はんだ非付着性めっきを追加することで、半導体検査におけるクリーニング頻度の低減を図り、半導体の生産性低下を防ぐことが可能に

追加研究による性能向上を図りつつ、事業化拡大のための販路開拓を実施
・一部目標を達成出来なかった性能に対し追加研究中であり、川下企業にも協力頂き性能評価・耐久試験を実施中
・「はんだ非付着」技術の追求により更に性能向上の為の研究を継続中
・既に成功している技術においては事業化拡大のための販路開拓に取り組んでいる

需要